分离模拟和数字地对于隔离来自模拟部分的数字噪声有帮助。对于低速电路这样做也是良好的。然而,对于高速电路(例如视频部分)应避免分离地。快速开关电流需用最小的电流环路,而隔离地阻止来自选择通路的电流。因此,将选择另外通路到源,这最终导致势差、电流流和辐射。在数字数据进入点把模拟和数字地短接在一起,可提供一个直接通路而不影响低频信号。信号朝实际的最短返回路径到源,而不是短路的通路。
电容器应用
适当地应用电容器是降低噪声的有效方法。去耦电容器提供一个低阻抗到地通路来旁路不希望的高频能量。可以用体电容器来旁路低频到地,以及用去耦电容器提供本地电荷存储。
对于去耦电容器没有最好的值,这是因为反作用影响。通常,电容器阻抗随频率和电容降低。当信号频率超过谐振频率时,电容器变成电感而不再是一个有效的滤波器。尽管低阻抗和更多电荷存储能降低下降,但对于高频信号,高值电容器不是最佳的。理想地,在电源地应包含一个高值和一个较低值电容器。若不能实现,用一个0.01mF电容器是一个可接受的折衷方案。应该用较对大的体电容器,至少10倍于总去耦电容器。
例如,在100KHZ,100mF电解电容具有0.6Ω左右的等效串联电阻(ESR),同样值的钽电容具有0.12Ω左右的ESR,这使得钽电容更适合体电容器。对于去耦陶瓷电容优于聚酯电容器。例如,在1MHZ,0.1mF陶瓷电容器具有0.12Ω左右的ESR,而1.0mF聚酯电容器具有0.11Ω的ESR。
去耦电容器应放置在PCB底端靠近器件引脚处。对于高速DSP,去耦电容器应放置在每个电源引脚处。若空间不允许这样做,也应尽可能地放置在器件周围。复杂DSP去耦的一种有效方法是从对角划两个虚线构成一个X(图4)。然后独立分析4个区域的每个区域。
为使得体电容器靠近去耦电容器,把它们放置在板的顶端。这种定位使线踪最短,同时可降低辐射和寄生电感。
来源:21IC