4.2 共模电磁干扰(EMI)减少，冷却气流可以更好地流通

一个带隔离的DC/DC变换器会因为隔离器两端电路间的耦合作用。考虑带基板变换器输入端电路中的一个功率MOSFET晶体管，该晶体管开关时，源漏电压在100V和近0V之间来回快速切换。每次切换都会伴随一次20~50MHz的寄生“振铃”。该晶体管的漏极与自身的金属封装管帽有热的和电的接触。管帽以通过一薄层电绝缘材料与基板实现导热连接，这样晶体管散发的热量可以传导到基板处，而基板还可以和机箱地线相连。尽管晶体漏极并不直接与基板相连，但通过薄绝缘层与之有紧密的电容耦合。采用金属板衬底时，薄绝缘层可能只有10~15μm厚，所以等效的电容值较大(如可达300pF)。图1示出了基板附近的这种耦合关系。

图1 传统变换器中机板引入的耦合

与金属板间的电容耦合为从变换器输入地到输出地的共模干扰电流提供了通路。相对于输入端地的差分晶体管漏极电压施加到寄生电容的一端。电容的另一端与基板连接，而基板往往又接到输出端的地线上。这样就形成了一个共模电路，晶体管的漏极是驱动源，寄生电容则可看作是一个串连阻抗。